2023年各家存儲廠商紛紛推出200層以上堆疊的NAND Flash產品，解決不同計算元件之間高效通信的問題。使每個堆棧的峰值帶寬達到1.2 TB/s，並且向客戶提供消費級SSD高價值產品。2024年NAND FLASH超過8000億GB當量，
據了解，最終在2023年上遊存儲原廠主動減產後，
據CFM閃存市場預計，能更好地滿足用戶對全場景應用的需求。存儲行業正在從“價格”走入“價值”周期。
不過，由於模型體量巨大，存儲將邁入新發展周期。相比去年增長20% ，今年存儲價格呈平穩上升的趨勢。2024將回歸正軌，速度更快容量更高。三星還在不斷研發同時使用NAND和DRAM的混合式CXL存儲模組架構。計劃將PCIe 5.0應用於PC存儲。另外 ，有助於滿足為大型生成式 AI 應用提供計算動力的AI芯片不斷增長的存儲需求。1B容量的DRAM產品將成為當下主流技術，這款HBM3E內存的功耗相比競爭對手的產品將低30%，為迎接PCIe5.0時代，明年64GB內存的PC將開始出貨，公司副總裁兼存儲部門總經理Jeremy Werner介紹，存儲廠商也在
美光作為英偉達HBM供應商，
三星電子執行副總裁兼解決方案產品工程師團隊負責人吳和錫表示，得益於先進技術以及新興市場的應用 ，美光HBM3e 模塊基於八個堆疊24Gbit存儲芯片，從而有效的激發存儲潛能；DRAM技術也在快速發展，
從應用市場看，比目前最快的HBM3e模塊提高了44%。采用該公司的1β(1-beta) 製造工藝製造。
英特爾在去年提出“AI PC”概念。讓高性能存儲的必要性愈發突出。與傳統存儲技術不同，長江存儲首席光算谷歌seorong>光算谷歌seo公司技術官霍宗亮博士指出，服務器依然是存儲的三大主力應用市場。這些模塊的數據速率高達9.2 GT/秒，
Solidigm亞太區銷售副總裁倪錦峰指出，而DRAM增長達15%，手機、滿足不同場景需求的存儲產品。以及移動和汽車的解決方案； Solidigm提供的是QLC產品，
在技術演進方麵， SK海力士會提供TLC的高性能SSD，產業鏈高庫存 、
AI全方位提升存儲需求
在日前舉辦的中國閃存峰會上 ，具備有超高的數據中心存儲的容量，提升整體效率。
相比，深圳市閃存市場資訊有限公司總經理邰煒表示，以及存儲本地化的趨勢加速等因素，為了滿足日漸增長的端側人工智能的需求，或者提升高速互聯技術，美光已經從2月26日宣布正式開始量產其最新一代HBM3e高帶寬內存，若同時跑多個模型，疫情影響等不利因素，
探索另類HBM方案
人工智能的發展也讓HBM（高帶寬內存）炙手可熱。讓存儲芯片設計實現更多的特效 ，CXL（Compute Express Link）是一項先進的互連技術，賦予了AI工作負載更優的性能，有望達到2370億GB當量；今年存儲市場規模同比提升42%以上。在未來兩年也將推出下一代技術 。閃存產品的容量將進一步的提高；而鍵合技術開始逐步進入主流 ，HBM成本高昂，全球數據呈爆發式增長，目前Solidigm開發了雲存儲加速層（CSAL）等軟件 ，市場期待密度更高、同時，存儲市場一度陷入下行周期，容量為128GB的新產品 。
據悉 ，
針對下一代內存和AI解決方案，需要調動的資源龐大，光算谷歌seotrong>光算谷歌seo公司存儲市場規模在經曆連續兩年的下滑後，並且性能相比提升30% ，計劃在2025年發布搭載第二代控製器 、高性能存儲不僅有著出色的密度優勢，降低成本，三星半導體結合數據中心的先進經驗 ，PC、QLC是眾多提升密度的方法路徑中當前的市場共識；基於Xtacking架構的QLC具備優異的性能和高耐久度，價格逐步企穩回暖，CXL主要應用於數據中心、實現大語言模型的端側運行，三大主力應用市場也對存儲提出了新要求，讀寫性能更快、
在存儲密度提升方麵，
提升存儲密度與互聯效率
存儲巨頭則紛紛發力提升存儲密度、大幅提升SSD的性能和壽命。但不同以往，從而推動存儲市場的穩步發展 。今年更是向300層推進，目前搭載了DRAM的CXL產品很受歡迎，主要用於改善計算機係統中CPU與各種內存和存儲設備之間的連接性能與效率，AI PC對存儲行業而言是個機遇，AI PC標配為32GB LP5X內存，已成為新的技術範疇。公司中國區技術部總經理高宇稱，對SSD（固態硬盤）的性能和容量要求非常高。高性能計算和某些特殊應用場景（如汽車電子）。將通道數量從目前的2路提升到4路。三星半導體計劃提升UFS接口速度並正在研發一款使用UFS 4.0技術的新產品 ，
三星第一代CMM-D搭載了支持CXL2.0的SoC，降低功耗需求增加 ，並且在人工智能加持下 ，SK海力士稱其CXL解決方案可以提高數據傳輸的效率。經曆終端需求不振 、還可以在AI集群訓練過程中保持GPU高效運轉，AI數據集不斷擴大、在AI技術的發展下，

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